SYSTEM 系统产品
COMPONENTS 电子元器件
DESIGN 电子电路设计开发
简体中文
English
器件型号
文档资源
>
MANUFACTURERS 品牌厂家
PRODUCTS 产品服务
SUPPORT 设计支持
CONTACT 联系购买
首页
>
SAMSUNG 三星
>
SRAM 存储器
>
QDR I/II/II+
K7Q163664B
Part number 型号:K7Q163664B
Density 存储容量:18M bit
Organization 结构:512Kx36
VDD 正电源输入:1.8~2.5(V)
Access Time-tCD 存取时间:2.5(ns)
Cycle time 周期时间:167(MHz)
I/O Voltage 输入输出电压:1.5,1.8(V)
Package 封装形式:165FBGA
K7Q163664B 技术支持与电子电路设计开发资源下载:
K7Q163664B 数据手册DataSheet下载
.pdf
About 关于我们
Business 商务合作
Careers 人才招聘
Sitemap 网站导航
Privacy 隐私条款
©1993 - 2024 BDTIC