OP275: 双通道、双极性/JFET、音频运算放大器
OP275是首款采用巴特勒放大器前端的放大器。这种新型前端设计集双极性与JFET晶体管于一体,兼有双极性晶体管的精度和低噪声性能,以及JFET晶体管的速度和音质。总谐波失真及噪声(THD+N)与以前的音频放大器相当,但电源电流低得多。l/f转折频率低于6 Hz,因而噪声密度响应很平坦。无论在30 Hz还是1 kHz测量噪声,其值仅为6 nV/√Hz。即使在需要较大输出摆幅时,输入级的JFET部分也能使OP275具有高压摆率,从而保持低失真。该器件的压摆率为22 V/µs,在所有标准音频放大器中最快。最可喜的是,实现这种低噪声和高速性能所耗用的电源电流不到5 mA,低于所有标准音频放大器。相对于纯双极性设计,偏置和失调电流大大降低,从而直流性能得以改善。输入失调电压能保证达到1 mV,通常低于200 µV。因此OP275可以用在许多直流耦合或求和应用中,无需进行特别选择,或者因采用附加失调电压调整电路而增加噪声。输出能够将600 Ω负载驱动至10 V(均方根),同时保持低失真。3 V(均方根)时THD+N低至0.0006%。OP275的额定温度范围为-40°C至+85°C工业温度范围,采用塑封DIP和SOIC-8两种封装。SOIC-8封装以2500片卷盘形式提供。出于各种原因,许多音频放大器都不提供SOIC-8表贴封装;不过,OP275经过特别设计,采用表贴封装也能提供最高性能。
技术指标
- -3dB Bandwidth: 9MHz
- Slew Rate: 22V/µs
- Input Noise (nV/rtHz): 6nV/rtHz
- Vos: 1mV
- Ib: 100nA
- Vcc-Vee: 9V to 44V
- Isy per Amplifier: 2.5mA
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技术特性
- 出色的声波特性
- 低噪声: 6 nV/√Hz
- 低失真:0.0006%
- 高压摆率 22 V/µs
- 宽带宽:9 MHz
- 低电源电流:5 mA
- 低失调电压:1 mV
- 低关断电流:2 nA
- 单位增益稳定
- SOIC-8 封装
- PDIP-8封装
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订购指南
产品型号 |
封装 |
引脚 |
温度范围 |
包装和数量 |
报价*(100-499) |
报价*1000 pcs |
RoHS |
OP275GPZ 产品状态: 量产 |
8 ld PDIP |
8 |
工业 |
Tube, 50 |
$ 1.28 |
$ 1.15 |
Y 材料信息 |
OP275GS 产品状态: 量产 |
8 ld SOIC |
8 |
工业 |
Tube, 98 |
$ 1.29 |
$ 1.16 |
N 材料信息 |
OP275GS-REEL 产品状态: 量产 |
8 ld SOIC |
8 |
工业 |
Reel, 2500 |
$ 0.00 |
$ 1.16 |
N 材料信息 |
OP275GS-REEL7 产品状态: 量产 |
8 ld SOIC |
8 |
工业 |
Reel, 1000 |
$ 0.00 |
$ 1.16 |
N 材料信息 |
OP275GSZ 产品状态: 量产 |
8 ld SOIC |
8 |
工业 |
Tube, 98 |
$ 1.14 |
$ 1.02 |
Y 材料信息 |
OP275GSZ-REEL 产品状态: 量产 |
8 ld SOIC |
8 |
工业 |
Reel, 2500 |
$ 0.00 |
$ 1.02 |
Y 材料信息 |
OP275GSZ-REEL7 产品状态: 量产 |
8 ld SOIC |
8 |
工业 |
Reel, 1000 |
$ 0.00 |
$ 1.02 |
Y 材料信息 |
OP275 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载
- OP275 数据手册DataSheet 下载 . pdf
- ADI 模拟器件公司比较器产品选型指南 . pdf
- Analog Devices, Inc. 美国模拟器件公司产品订购手册 .pdf