BSS138K 该器件在双MLP封装中包括有两个专门的N沟道MOSFET。在内部已连接了开关节点,以便于同步降压转换器的布局和路由。 控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET™ (Q2) 旨在提供优化的功效
技术特性
实物参考图 |
应用
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产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
BSS138K | 量产 从2009年11月起符合绿色标准 |
$0.0406 | SOT-23 3L 示意图
胶带卷轴 |
第一行:Y (二进制历年编码) 第二行:SK |
FIT : 2.5 RTHETA (JA) : 350 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
应用指南 | 说明 |
AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
AN-9067 | LLC 谐振变换器中MOSFET失效模式的分析(1,635 K) 2013年4月15日 |
概述 | 文档编号 | 版本 |
50V N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 | BSS138K | 1 |