BSS138W:50V N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

BSS138W 这些N沟道增强模式场效应晶体管。这些产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。BSS138W特别适合于小型伺服电动机控制、功率MOSFET栅极驱动器等低电压、低电流应用，以及其他开关应用。

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产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
BSS138W	量产	$0.0392	SC70 3L (SOT-323) 示意图胶带卷轴	第一行:E(空间) Y (二进制历年编码) 第二行:&Z (工厂编码) 138	FIT : 2.5 RTHETA (JA) : 367 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1

应用指南	说明
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AN-7533	A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
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AN-9010	MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日
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AN-9763	Mid-Voltage Shielded PowerTrench® MOSFET in High Step-Up DC-DC for Edge-Lit LED TV Backlighting(292 K) 2012年7月20日

概述	文档编号	版本
50V N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管	BSS138W	1