FCB11N60:N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 11A, 380mΩ_BDTIC代理FCB11N60

FCB11N60:N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 11A, 380mΩ

FCB11N60 SuperFET® MOSFET 是飞兆半导体®第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET产品非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用

技术特性

650V @TJ = 150°C
典型值 RDS(on) = 320mΩ
超低栅极电荷（典型值 Qg = 40nC )
低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 95pF )
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准

应用

不间断电源 PDP电视 PC服务器笔记本电脑照明 LED TV LCD 电视 LCD监视器 EMS DVD/机顶盒台式计算机 DC-DC商用电源消费型设备 AC-DC商用电源

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FCB11N60TM	量产	$2.88	TO-263 2L (D2PAK) 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FCB 第三行:11N60	RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 1 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 11A, 380mΩ	FCB11N60	1

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