FCB20N60:N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 20A, 190mΩ_BDTIC代理FCB20N60

FCB20N60:N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 20A, 190mΩ

FCB20N60 SuperFET® MOSFET 是飞兆半导体®第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET产品非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

技术特性

650V @TJ = 150°C
典型值 RDS(on) = 150mΩ
超低栅极电荷（典型值 Qg = 75nC )
低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 165pF )
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准

应用

不间断电源 PDP电视 PC服务器笔记本电脑照明 LED TV LCD 电视 LCD监视器 EMS DVD/机顶盒台式计算机 DC-DC商用电源消费型设备 AC-DC商用电源

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FCB20N60TM	量产	$4.9	TO-263 2L (D2PAK) 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FCB 第三行:20N60	RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 0.6 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1

应用指南

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533	A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005	快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
AN-9010	MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日
AN-9065	FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日
AN-9067	LLC 谐振变换器中MOSFET失效模式的分析(1,635 K) 2013年4月15日

数据资料DataSheet下载

概述	文档编号	版本
N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 20A, 190mΩ	FCB20N60	1

©1993 - 2024 BDTIC