FCH35N60: N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 35A, 98mΩ_BDTIC代理FCH35N60

FCH35N60: N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 35A, 98mΩ

FCH35N60 SuperFET® MOSFET 是飞兆半导体®第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET产品非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

技术特性

650V @TJ = 150°C
典型值 RDS(on) = 79mΩ
超低栅极电荷（典型值 Qg = 139nC )
低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 340pF )
100% 经过雪崩击穿测试

应用

AC-DC商用电源消费型设备 DC-DC商用电源台式计算机 DVD/机顶盒 EMS LCD监视器 LCD 电视 LED TV 照明笔记本电脑 PC服务器 PDP电视不间断电源

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FCH35N60	量产从2013年8月起符合绿色标准	$10.08	TO-247 3L 示意图	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FCH 第三行:35N60	RTHETA (JA) : 42 °C/W RƟJC : 0.4 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 35A, 98mΩ	FCH35N60	1

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