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FCH76N60NF: N 沟道 SupreMOS® FRFET® MOSFET 600V, 72.8A, 38mΩ

FCH76N60NF SupreMOS® MOSFET是飞兆半导体®的下一代高压超级结（SJ）技术，该技术采用区别于传统SJ MOSFET产品的深沟槽填充工艺。 这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance（导通电阻规格），卓越的开关性能和耐用性。 SupreMOS MOSFET技术适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。 SupreMOS FRFET® MOSFET 优化版的本体二极管的反向恢复性能可去除额外元件并提高系统可靠性。

技术特性 RDS(on) = 28.7mΩ （典型值） @ VGS = 10V, ID = 38A 超低栅极电荷（典型值 Qg = 230nC ) 低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 896pF ) 100% 经过雪崩击穿测试 符合 RoHS 标准

应用 不间断电源 PDP电视 PC服务器 笔记本电脑 照明 LED TV LCD 电视 LCD监视器 EMS DVD/机顶盒 台式计算机 DC-DC商用电源 消费型设备 AC-DC商用电源 实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FCH76N60NF	量产	$25.88	TO-247 3L 示意图	第一行:$Y (飞兆徽标)  &Z (工厂编码)  3 (3 位日期代码)  &K 第二行:FCH 第三行:76N60NF	FIT :  1.2   RTHETA (JA) :  40  °C/W RƟJC :  0.23  °C/W

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
N 沟道 SupreMOS® FRFET® MOSFET 600V, 72.8A, 38mΩ	FCH76N60NF	1