FCP13N60N:N 沟道 SupreMOS® MOSFET 600V, 10.8A, 299mΩ_BDTIC代理FCP13N60N

FCP13N60N:N 沟道 SupreMOS® MOSFET 600V, 10.8A, 299mΩ

FCP13N60N SupreMOS® MOSFET是飞兆半导体®的下一代高压超级结（SJ）技术，该技术采用区别于传统SJ MOSFET产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance（导通电阻规格），卓越的开关性能和耐用性。 SupreMOS MOSFET技术适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用

技术特性

RDS(on) = 255mΩ （典型值） @ VGS = 10V, ID = 5.4A
超低栅极电荷（典型值 Qg = 27.4nC )
低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 130pF )
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准

应用

AC-DC商用电源消费型设备 DC-DC商用电源台式计算机 DVD/机顶盒 EMS LCD监视器 LCD 电视 LED TV 照明笔记本电脑 PC服务器 PDP电视不间断电源

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FCP13N60N	量产	$2.88	TO-220 3L 示意图	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FCP 第三行:11N60N	FIT : 1.2 RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 1.33 °C/W

应用指南

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
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概述	文档编号	版本
N 沟道 SupreMOS® MOSFET 600V, 10.8A, 299mΩ	FCP13N60N	1

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