FCP190N60_GF102:N 沟道 SuperFET® II MOSFET_BDTIC代理FCP190N60_GF102

FCP190N60_GF102:N 沟道 SuperFET® II MOSFET

FCP190N60_GF102 SuperFET®II MOSFET 是飞兆半导体® 第一代高电压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品，采用电荷平衡技术，实现极低的导通电阻和很低的栅极电荷性能。这种先进技术专用于最大限度地减少传导损耗，并提供卓越的开关性能，可耐受极高的 dv/dt 和较高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化的各种 AC-DC 功率转换。

技术特性

650 V @TJ = 150°C
RDS(on)最大值 = 199 mΩ
超低栅极电荷（典型值 Qg = 57 nC)
低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 160 pF)
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FCP190N60_GF102	量产从2012年12月起符合绿色标准	$2.08	TO-220 3L 示意图	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FCP 第三行:190N60 GF102	RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 0.6 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA

应用指南

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533	A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005	快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
AN-9010	MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日
AN-9065	FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日

数据资料DataSheet下载

概述	文档编号	版本
N 沟道 SuperFET® II MOSFET	FCP190N60_GF102	1

©1993 - 2024 BDTIC