FCP260N60E:N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600V, 15A, 260mΩ_BDTIC代理FCP260N60E

FCP260N60E:N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600V, 15A, 260mΩ

FCP260N60E SuperFET®II MOSFET 是飞兆半导体全新的高电压超级结 MOSFET 系列产品，采用先进的电荷平衡技术，实现极低的通态电阻和更低的栅极电荷。该先进 MOSFET 经专门设计，不仅可最大程度地减少传导损耗，而且还能实现卓越的开关性能。除了这些优势，与传统的超级结 MOSFET 相比，该产品还可耐受极高的 dv/dt 和较高的雪崩能量。 SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化场景的各种开关电源应用。

技术特性

TJ = 150°C 时为 650 V
最大值 RDS(on) = 260mΩ
超低栅极电荷（典型值 Qg = 48nC )
低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 129pF ）
100% 经过雪崩击穿测试

实物参考图

应用

AC-DC商用电源消费型设备 DC-DC商用电源台式计算机 DVD/机顶盒 EMS 照明 LED TV LCD 电视 LCD监视器笔记本电脑 PC服务器

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FCP260N60E	量产	$2.88	TO-220 3L 示意图	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FCP 第三行:260N60E	RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 0.8 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600V, 15A, 260mΩ	FCP260N60E	1

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