FDA38N30:N 沟道 UniFETTM MOSFET 300V，38A，85mΩ_BDTIC代理FDA38N30

FDA38N30:N 沟道 UniFETTM MOSFET 300V，38A，85mΩ

FDA38N30 UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

技术特性

RDS(on) = 70mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 19A
低栅极电荷（典型值 60nC）
低 Crss（典型值 60pF）
100% 经过雪崩击穿测试
改进了 ESD 防护能力
符合 RoHS 标准

应用

AC-DC商用电源消费型设备 DC-DC商用电源台式计算机 DVD/机顶盒 EMS LCD监视器 LCD 电视 LED TV 照明笔记本电脑 PC服务器 PDP电视不间断电源

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDA38N30	量产	$2.45	TO-3P 3L 示意图	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDA 第三行:38N30	RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 0.4 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
N 沟道 UniFETTM MOSFET 300V，38A，85mΩ	FDA38N30	1

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