FDC3535:-80V P 沟道 PowerTrench® MOSFET_BDTIC代理FDC3535

FDC3535:-80V P 沟道 PowerTrench® MOSFET

FDC3535此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。

技术特性

VGS = -10 V，ID = -2.1 A时，最大rDS(on) = 183mΩ
VGS = -4.5 V，ID = -1.9 A时，rDS(on) = 233 mΩ
（最大值）
高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
快速开关速度
100%经过UIL测试
符合RoHS标准

实物参考图

应用

服务器和大型机工作站台式计算机笔记本电脑 PC服务器多媒体平板电脑存储和外设打印机图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁宽带接入宽带调制解调器企业语音网络中央办公室广播和工作室其他有线通信手机 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器移动通信基础设施外部AC-DC商用电源-有线通信其他无线通信 PMP/MP3播放器家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视摄像机 DVD机机顶盒 DSC 视频游戏机电子书阅读器消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频其他消费型电子医疗电子/设备自动化测试和测量楼宇和住宅控制其他工业军用和民用航空

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDC3535	量产从2010年5月起符合绿色标准	$0.435	SSOT 6L 示意图胶带卷轴	第一行:E(空间) Y (二进制历年编码) 第二行:.535	FIT : 1.6 ESD (HBM) : 300 V RTHETA (JA) : 78 °C/W

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
-80V P 沟道 PowerTrench® MOSFET	FDC3535	1

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