FDC8884:30V N沟道PowerTrench® MOSFET
FDC8884 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(on)开关性能进行了优化
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDC8884 | 量产 从2011年8月起符合绿色标准 |
$0.102 |
SSOT 6L 示意图
胶带卷轴 |
第一行:E(空间) Y (二进制历年编码) 第二行:.884 |
FIT : 5.6 ESD (HBM) : 200 V RTHETA (JA) : 78 °C/W |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 30V N沟道PowerTrench® MOSFET | FDC8884 | 1 |
