FDD10N20LZ:N 沟道 UniFETTM MOSFET 200V，7.6A，360mΩ™
FDD10N20LZ UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
技术特性
应用AC-DC商用电源 消费型设备 DC-DC商用电源 台式计算机 DVD/机顶盒 EMS LCD监视器 LCD 电视 照明 LED TV 笔记本电脑 PC服务器 PDP电视 不间断电源 |
实物参考图
|
订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDD10N20LZTM | 量产 从2010年6月起符合绿色标准 |
$0.52 |
TO-252 3L (DPAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDD 第三行:10N20LZ |
RTHETA (JA) : 110 °C/W RƟJC : 2.2 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
| AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
| AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
| AN-9763 | Mid-Voltage Shielded PowerTrench® MOSFET in High Step-Up DC-DC for Edge-Lit LED TV Backlighting(292 K) 2012年7月20日 |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 UniFETTM MOSFET 200V，7.6A，360mΩ™ | FDD10N20LZ | 1 |
