FDD1600N10ALZD:BoostPak（N 沟道 PowerTrench® MOSFET + 二极管）100 V，6.8 A，160 mΩ
FDD1600N10ALZD 该N沟道MOSFET采用飞兆半导体®先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺专用于最小化通态电阻，同时保持卓越的开关性能。NP 二极管为超快速整流器，具有低正向压降和出色的开关性能。
技术特性
|
应用
实物参考图
|
订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDD1600N10ALZD | 量产 从2012年9月起符合绿色标准 |
$0.485 |
TO-252 5L (DPAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:1600N 第三行:10ALZD |
RTHETA (JA) : 87 °C/W RƟJC : 8.4 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
| AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
| AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
| AN-FEBD850N10LD | User Guide for FEBFDD850N10LD_CS001 35 W Boost Converter for LED Drive using BoostPak(3,199 K) 2013年5月22日 |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| BoostPak（N 沟道 PowerTrench® MOSFET + 二极管）100 V，6.8 A，160 mΩ | FDD1600N10ALZD | 1 |
