FDD18N20LZ:N 沟道 UniFETTM MOSFET 200V，16A，125mΩ_BDTIC代理FDD18N20LZ

FDD18N20LZ:N 沟道 UniFETTM MOSFET 200V，16A，125mΩ

FDD18N20LZ UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。

技术特性

RDS(on) = 125mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 8A
低栅极电荷（典型值 30nC）
低 Crss（典型值 25pF）
100% 经过雪崩击穿测试
提高了 dv/dt 处理能力
改进了 ESD 防护能力
符合 RoHS 标准

应用

AC-DC商用电源消费型设备 DC-DC商用电源台式计算机 DVD/机顶盒 EMS LCD监视器 LCD 电视照明 LED TV 笔记本电脑 PDP电视 PC服务器不间断电源

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDD18N20LZ	量产从2010年12月起符合绿色标准	$0.84	TO-252 3L (DPAK) 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDD 第三行:18N20LZ	RTHETA (JA) : 83 °C/W RƟJC : 1.4 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1

应用指南

应用指南	说明
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AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
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概述	文档编号	版本
N 沟道 UniFETTM MOSFET 200V，16A，125mΩ	FDD18N20LZ	1

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