FDD5N60NZ:N 沟道 UniFETTM II MOSFET 600V，4A，2Ω_BDTIC代理FDD5N60NZ

FDD5N60NZ:N 沟道 UniFETTM II MOSFET 600V，4A，2Ω

FDD5N60NZ UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于先进平面条形和 DMOS 技术。该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器

技术特性

RDS(on) = 1.65Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 2.0A
低栅极电荷（典型值 10nC）
低 Crss（典型值 5pF）
100% 经过雪崩击穿测试
提高了 dv/dt 处理能力
改进了 ESD 防护能力
符合 RoHS 标准

应用

AC-DC商用电源消费型设备 DC-DC商用电源台式计算机 DVD/机顶盒 LCD监视器 LCD 电视 LED TV 照明笔记本电脑 PC服务器 PDP电视

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDD5N60NZTM	量产从2010年7月起符合绿色标准	$0.61	TO-252 3L (DPAK) 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDD 第三行:5N60NZ	RTHETA (JA) : 90 °C/W RƟJC : 1.5 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
N 沟道 UniFETTM II MOSFET 600V，4A，2Ω	FDD5N60NZ	1

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