FDD6688 此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。
技术特性
实物参考图 |
应用
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产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
FDD6688 | 量产 | $1.392 |
TO-252 3L (DPAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDD 第三行:6688 |
FIT : 1.8 RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 1.8 °C/W |
应用指南 | 说明 |
AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
概述 | 文档编号 | 版本 |
30V N沟道PowerTrench® MOSFET | FDD6688 | 1 |