FDD850N10L:N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 100V，15.7A，75mΩ
FDD850N10L 该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体®的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺专用于最小化通态电阻，同时保持卓越的开关性能
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDD850N10L | 量产 从2010年8月起符合绿色标准 |
$0.48 |
TO-252 3L (DPAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDD 第三行:850N10L |
FIT : 3.4 RTHETA (JA) : 87 °C/W RƟJC : 3 °C/W |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 100V，15.7A，75mΩ | FDD850N10L | 1 |
