FDD850N10LD:BoostPak（N 沟道 PowerTrench® MOSFET + 二极管）100 V，15.7 A，75 mΩ
FDD850N10LD 该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体® PowerTrench®工艺生产，这一工艺专用于最小化通态电阻，同时保持卓越的开关性能。NP 二极管为超快速整流器，具有低正向压降和出色的开关性能。
技术特性
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDD850N10LD | 量产 从2012年5月起符合绿色标准 |
$0.57 |
TO-252 5L (DPAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:850N 第三行:10LD |
RTHETA (JA) : 87 °C/W RƟJC : 3 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
| AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
| AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
| AN-FEBD850N10LD | User Guide for FEBFDD850N10LD_CS001 35 W Boost Converter for LED Drive using BoostPak(3,199 K) 2013年5月22日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| BoostPak（N 沟道 PowerTrench® MOSFET + 二极管）100 V，15.7 A，75 mΩ | FDD850N10LD | 1 |
