FDD86102LZ:100V N沟道PowerTrench® MOSFET。_BDTIC代理FDD86102LZ

FDD86102LZ:100V N沟道PowerTrench® MOSFET。

FDD86102LZ 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

技术特性

VGS = 10 V，ID = 8 A时，最大rDS(on) = 22.5 mΩ
VGS = 4.5 V，ID = 7A时，最大rDS(on) = 31 mΩ
HBM ESD保护等级 6 KV典型值（注4）
与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
快速开关速度
100%经过UIL测试
符合RoHS标准

实物参考图

应用

服务器和大型机工作站台式计算机笔记本电脑 PC服务器多媒体平板电脑存储和外设打印机图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁宽带接入宽带调制解调器企业语音网络中央办公室广播和工作室其他有线通信 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器移动通信基础设施外部AC-DC商用电源-有线通信其他无线通信 PMP/MP3播放器家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视摄像机 DVD机机顶盒 DSC 视频游戏机电子书阅读器消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频其他消费型电子医疗电子/设备自动化测试和测量楼宇和住宅控制其他工业军用和民用航空

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDD86102LZ	量产从2010年7月起符合绿色标准	$0.45	TO-252 3L (DPAK) 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDD 第三行:86102LZ	FIT : 5.1 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 6500 V

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
100V N沟道PowerTrench® MOSFET。	FDD86102LZ	1

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