FDG1024NZ:20V双N沟道PowerTrench® MOSFET_BDTIC代理FDG1024NZ

FDG1024NZ:20V双N沟道PowerTrench® MOSFET

FDG1024NZ 该双N和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管

技术特性

VGS = 4.5 V，ID = 1.2 A时，rDS(on) = 175 mO（最大值）
VGS = 2.5 V，ID = 1.0 A时，rDS(on) = 215 mO（最大值）
VGS = 1.8 V，ID = 0.9 A时，rDS(on) = 270 mO（最大值）
VGS = 1.5 V，ID = 0.8 A时，rDS(on) = 389 mO（最大值）
HBM静电放电保护等级为2kV（注3）
极低电平的栅极驱动要求允许在 1.5 V 电路 (VGS(th) 1 V) 中进行操作
非常小的封装尺寸SC70-6
符合RoHS标准

实物参考图

应用

服务器和大型机工作站台式计算机笔记本电脑 PC服务器多媒体平板电脑存储和外设打印机图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁宽带接入宽带调制解调器企业语音网络中央办公室广播和工作室其他有线通信手机 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器移动通信基础设施外部AC-DC商用电源-有线通信其他无线通信 PMP/MP3播放器家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视摄像机 DVD机机顶盒 DSC 视频游戏机电子书阅读器消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频其他消费型电子医疗电子/设备自动化测试和测量楼宇和住宅控制其他工业军用和民用航空

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDG1024NZ	量产从2010年12月起符合绿色标准	$0.189	SC70 6L 示意图胶带卷轴	第一行:E(空间) E(空间) E(空间) 第二行:Y (二进制历年编码) 第三行:.4N	FIT : 0.9 ESD (CDM) : 1500 V ESD (HBM) : 2000 V

应用指南

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
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AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
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概述	文档编号	版本
20V双N沟道PowerTrench® MOSFET	FDG1024NZ	1

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