FDI150N10:N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，57A，16mΩ
FDI150N10 该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体®的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺专用于最小化通态电阻，同时保持卓越的开关性能。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDI150N10 | 量产 | $1.65 | TO-262 3L (I2PAK) 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDI 第三行:150N10 |
FIT : 1.8 RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 1.13 °C/W |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，57A，16mΩ | FDI150N10 | 1 |
