FDMA3028N:30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET
FDMA3028N 该器件是专为满足蜂窝手机和其他超便携应用中的双开关要求而设计的单封装解决方案。 该器件具有两个带低通态电阻的独立N沟道MOSFET，可最大限度地降低传导损耗。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDMA3028N | 量产 从2010年11月起符合绿色标准 |
$0.261 |
MLP 2x2 6L (MicroFET) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:E(空间) Y (二进制历年编码) |
FIT : 0.9 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 100 V |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
| AN-9763 | Mid-Voltage Shielded PowerTrench® MOSFET in High Step-Up DC-DC for Edge-Lit LED TV Backlighting(292 K) 2012年7月20日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET | FDMA3028N | 1 |
