FDMB2307NZ:20V双N沟道PowerTrench®MOSFET_BDTIC代理FDMB2307NZ

FDMB2307NZ:20V双N沟道PowerTrench®MOSFET

FDMB2307NZ 此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。它包含两个共用漏极N沟道MOSFET，双向电流，采用飞兆先进的PowerTrench®工艺制造，具有最先进的MicroFET引脚架构，FDMB2307NZ将PCB空间和rS1S2(on)都最小化了。.

技术特性

在VGS = 4.5V且ID = 8 A时，最大值rS1S2(on) = 16.5 mΩ
在VGS = 4.2 V且ID = 7.4 A时，最大值rS1S2(on) = 18 mΩ
在VGS = 3.1 V且ID = 7 A时，最大值rS1S2(on) = 21 mΩ
在VGS = 2.5 V且ID = 6.7 A时，最大值rS1S2(on) = 24 mΩ
薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x3 mm封装
HBM静电放电保护等级为2kV（注3）
符合RoHS标准

应用

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实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDMB2307NZ	量产从2011年1月起符合绿色标准	$0.46	MLP 2x3 6L (MicroFET) 示意图胶带卷轴	第一行:E(空间) Y (二进制历年编码)	FIT : 5.6 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 2400 V

应用指南

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533	A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005	快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
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概述	文档编号	版本
20V双N沟道PowerTrench®MOSFET	FDMB2307NZ	1

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