FDMB2308PZ:-20V 双共用漏级 P 沟道 PowerTrench® MOSFET_BDTIC代理FDMB2308PZ

FDMB2308PZ:-20V 双共用漏级 P 沟道 PowerTrench® MOSFET

FDMB2308PZ 此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。它包含两个共用漏极P沟道MOSFET，双向电流，采用飞兆先进的PowerTrench®工艺制造，具有最先进的MicroFET引脚架构，FDMB2308PZ将PCB空间和rS1S2(on)都最小化了。

技术特性

最大值 rS1S2(on) = 36 mΩ（VGS = -4.5 V且ID = -5.7 A
时）
最大值 rS1S2(on) = 50 mΩ（VGS = -2.5 V且ID = -4.6 A
时）
薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x3 mm封装
HBM静电放电保护等级为2.8kV（注3）
符合 RoHS 标准

应用

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订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDMB2308PZ	量产从2011年4月起符合绿色标准	$0.725	MLP 2x3 6L (MicroFET) 示意图胶带卷轴	第一行:E(空间) Y (二进制历年编码)	ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 2800 V RTHETA (JA) : 57 °C/W

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
-20V 双共用漏级 P 沟道 PowerTrench® MOSFET	FDMB2308PZ	1

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