FDMB3900AN:25 V 双 N 沟道 Power Trench® MOSFET
FDMB3900AN 这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDMB3900AN | 量产 从2011年4月起符合绿色标准 |
$0.247 |
MLP 1.9x3 8L (MicroFET) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:3900 |
RTHETA (JA) : 80 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 Max Reflow Temp : 260 |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 25 V 双 N 沟道 Power Trench® MOSFET | FDMB3900AN | 1 |
