FDMC8026S:30V N沟道PowerTrench® SyncFET™
FDMC8026S 设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合，在保持出色开关性能的同时，还能提供最低的rDS(on)。该器件具有一个高效单片肖特基体二极管所具备的额外优势。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDMC8026S | 量产 从2010年11月起符合绿色标准 |
$0.334 |
MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:FDMC 第三行:8026S |
FIT : 1.4 RTHETA (JA) : 53 °C/W RƟJC : 3.4 °C/W |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
| AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
| AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
| AN-9763 | Mid-Voltage Shielded PowerTrench® MOSFET in High Step-Up DC-DC for Edge-Lit LED TV Backlighting(292 K) 2012年7月20日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 30V N沟道PowerTrench® SyncFET™ | FDMC8026S | 1 |
