FDMC8030:40V N沟道PowerTrench® MOSFET

FDMC8030 该器件包括两个专用N沟道MOSFET,采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。 封装增强用于出色的热性能。

技术特性
  • VGS = 10 V,ID = 12 A时,最大rDS(on) = 10mΩ
  • VGS = 4.5 V,ID = 10 A时,最大rDS(on) = 14mΩ
  • VGS = 3.2 V,ID = 4 A时,最大rDS(on) = 28mΩ
  • 终端无引线且符合RoHS标准
应用
  • 服务器
实物参考图

FDMC8030 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMC8030 量产
从2010年12月起符合绿色标准
$0.8 MLP 3x3 8L (Power 33) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
&2 (2 位日期代码) &K
第二行:FDMC
第三行:8030
FIT :  5.6  
ESD (HBM) :  500  V
RTHETA (JA) :  65  °C/W
应用指南
应用指南 说明
AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
AN-9010 MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日
AN-9065 FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日
AN-9763 Mid-Voltage Shielded PowerTrench® MOSFET in High Step-Up DC-DC for Edge-Lit LED TV Backlighting(292 K) 2012年7月20日
数据资料DataSheet下载
概述 文档编号 版本
40V N沟道PowerTrench® MOSFET FDMC8030 1