FDMC8200S:30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET
FDMC8200S 该器件包括两个专用N沟道MOSFET，采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDMC8200S | 量产 从2010年10月起符合绿色标准 |
$0.464 | MLP 3x3 8L (Power 33) 细节
MLP 3x3 8L (Power 33) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:FDMC 第三行:8200S |
FIT : 5.4 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 200 V |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET | FDMC8200S | 1 |
