FDMC8588:25V N沟道PowerTrench® MOSFET

FDMC8588 此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

技术特性
  • 在VGS = 4.5 V且ID = 17 A时,最大值RDS(on)
  • = 6.0 mΩ
  • 一流的开关性能
  • 更低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷升压效率
  • 屏蔽栅极技术降低了开关节点振铃,提高了抗EMI和交叉导通的能力
  • 符合RoHS标准
应用
  • 台式计算机 消费型设备 笔记本电脑 配电 EMS
实物参考图

FDMC8588 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMC8588 量产
从2011年6月起符合绿色标准
$0.67 MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:08OD
ESD (CDM) :  2000  V
ESD (HBM) :  400  V
RTHETA (JA) :  53  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
25V N沟道PowerTrench® MOSFET FDMC8588 1