FDMC86012:30V N沟道PowerTrench® MOSFET
FDMC86012 该器件专为提高 DC/DC 转换器的效率而设计。 使用MOSFET结构的新技术，栅极电荷和电容的各种元件经优化以降低开关损耗。 低栅极电阻和极低的米勒电荷兼具自适应和固定死区时间栅极驱动电路的卓越性能。 保持了极低的 rDS(on)以提供子逻辑电平器件。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDMC86012 | 量产 从2012年5月起符合绿色标准 |
$0.754 |
MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDMC 第三行:86012 |
FIT : 3.6 RTHETA (JA) : 53 °C/W RƟJC : 2.3 °C/W |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 30V N沟道PowerTrench® MOSFET | FDMC86012 | 1 |
