FDMC86570L:60V N沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET
FDMC86570L N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了Shielded Gate技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。
技术特性
|
应用
实物参考图
|
订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDMC86570L | 量产 从2012年12月起符合绿色标准 |
$0.928 |
MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDMC 第三行:86570L |
ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 1400 V RTHETA (JA) : 53 °C/W |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
| AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
| AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 60V N沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET | FDMC86570L | 1 |
