FDME1023PZT:-20V双P沟道PowerTrench® MOSFET_BDTIC代理FDME1023PZT

FDME1023PZT:-20V双P沟道PowerTrench® MOSFET

FDME1023PZT 该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

技术特性

VGS = -4.5 V，ID = -2.3 A时，最大rDS(on) = 142 mO
VGS = -2.5 V，ID = -1.8 A时，最大rDS(on)
= 213mO
VGS = -1.8 V，ID = -1.5 A时，最大rDS(on)
= 331mO
VGS = -1.5 V，ID = -1.2 A时，最大rDS(on)
= 530mO
薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
不含有卤化合物和氧化锑
HBM静电放电保护等级为1600V（注3）
符合 RoHS 标准

实物参考图

应用

服务器和大型机工作站台式计算机笔记本电脑 PC服务器多媒体平板电脑存储和外设打印机图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁宽带接入宽带调制解调器企业语音网络中央办公室广播和工作室其他有线通信手机 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器移动通信基础设施外部AC-DC商用电源-有线通信其他无线通信 PMP/MP3播放器家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视摄像机 DVD机机顶盒 DSC 视频游戏机电子书阅读器消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频其他消费型电子医疗电子/设备自动化测试和测量楼宇和住宅控制其他工业军用和民用航空

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDME1023PZT	量产从2009年7月起符合绿色标准	$0.247	UMLP 1.6x1.6 6L (MicroFET) 示意图胶带卷轴	第一行:E(空间) Y (二进制历年编码)	FIT : 1.8 ESD (CDM) : 1500 V ESD (HBM) : 1600 V

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
-20V双P沟道PowerTrench® MOSFET	FDME1023PZT	1

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