FDME430NT:30V N沟道PowerTrench® MOSFET
FDME430NT 该单 N 沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，用于优化专用 MicroFET 引线框上的 RDS(ON)（VGS = 1.8 V 时）。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDME430NT | 量产 从2012年7月起符合绿色标准 |
$0.247 |
UMLP 1.6x1.6 6L (MicroFET) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:&Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:YA |
FIT : 0.9 RTHETA (JA) : 60 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 30V N沟道PowerTrench® MOSFET | FDME430NT | 1 |
