FDME820NZT:20V N沟道PowerTrench® MOSFET
FDME820NZT 该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，用于优化VGS = 1.8 V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。
技术特性
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDME820NZT | 量产 从2012年6月起符合绿色标准 |
$0.2465 |
UMLP 1.6x1.6 6L (MicroFET) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:&Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:8T |
FIT : 5.6 ESD (HBM) : 2800 V RTHETA (JA) : 70 °C/W |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 20V N沟道PowerTrench® MOSFET | FDME820NZT | 1 |
