FDME910PZT:-20V P沟道PowerTrench® MOSFET
FDME910PZT 该器件是专为蜂窝手机和其他超便携式应用中的电池充电或负载开关应用而设计的。 包含一个具有低通态电阻的MOSFET和齐纳二极管防静电放电保护。 MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
技术特性
应用
|
实物参考图
|
订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDME910PZT | 量产 从2011年7月起符合绿色标准 |
$0.334 |
UMLP 1.6x1.6 6L (MicroFET) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:E(空间) Y (二进制历年编码) |
FIT : 5.6 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 2000 V |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
| AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
| AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| -20V P沟道PowerTrench® MOSFET | FDME910PZT | 1 |
