FDMS3615S 该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。
技术特性
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应用
实物参考图 |
产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
FDMS3615S | 量产 从2011年5月起符合绿色标准 |
$0.8 |
MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:Y8OA 第三行:K10OC |
FIT : 1.4 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 800 V |
应用指南 | 说明 |
AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
AN-9763 | Mid-Voltage Shielded PowerTrench® MOSFET in High Step-Up DC-DC for Edge-Lit LED TV Backlighting(292 K) 2012年7月20日 |
概述 | 文档编号 | 版本 |
25V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®功率级 | FDMS3615S | 1 |