FDMS3660S:30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®功率级_BDTIC代理FDMS3660S

FDMS3660S:30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®功率级

FDMS3660S 该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。

技术特性

Q1: N 沟道
- 最大值 rDS(on) = 8 mΩ（在 VGS = 10 V，ID = 13 A 时）
- 最大值 rDS(on) = 11 mΩ（在 VGS = 4.5 V，ID = 11 A 时）
Q2: N 沟道
- 最大值 rDS(on) = 1.8 mΩ（在 VGS = 10 V，ID = 30 A 时）
- 最大值 rDS(on) = 2.2 mΩ（在 VGS = 4.5 V，ID = 27 A 时）
- 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而降低了开关损耗
- MOSFET 集成可

应用

笔记本电脑

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDMS3660S	量产从2011年9月起符合绿色标准	$0.94	MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:22CF 第三行:07OD	FIT : 5.4 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 800 V

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®功率级	FDMS3660S	1

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