FDMS7600AS:30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET_BDTIC代理FDMS7600AS

FDMS7600AS:30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET

FDMS7600AS 该器件在双MLP封装中包括有两个专门的N沟道MOSFET。在内部已连接了开关节点，以便于同步降压转换器的布局和路由。控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。

技术特性

Q1：N沟道
- 最大值 RDS(on) = 7.5mΩ（VGS = 10V，ID = 12A
- 最大值 RDS(on) = 12mΩ（VGS = 4.5V，ID = 10A
）
Q2：N沟道
- 最大值 RDS(on) = 2.8mΩ（VGS = 10V，ID = 20A
- 最大值 RDS(on) = 3.3mΩ（VGS = 4.5V，ID = 18A
- 符合RoHS标准

应用

服务器和大型机工作站台式计算机笔记本电脑 PC服务器多媒体平板电脑存储和外设打印机图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁宽带接入宽带调制解调器企业语音网络中央办公室广播和工作室其他有线通信 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器移动通信基础设施外部AC-DC商用电源-有线通信其他无线通信 PMP/MP3播放器家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视摄像机 DVD机机顶盒 DSC 视频游戏机电子书阅读器消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频其他消费型电子医疗电子/设备自动化测试和测量楼宇和住宅控制其他工业军用和民用航空

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDMS7600AS	量产从2011年9月起符合绿色标准	$0.58	TO-252 3L (DPAK) 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDD 第三行:4N60NZ	RTHETA (JA) : 110 °C/W RƟJC : 1.1 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET	FDMS7600AS	1

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