FDMS7650DC:30 V N 沟道 Dual Cool™ PowerTrench® MOSFET
FDMS7650DC 此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench®工艺生产。 先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDMS7650DC | 量产 从2009年10月起符合绿色标准 |
$1.09 |
MLP 5x6 8L (Dual Cool 56) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:7650 |
FIT : 1 ESD (HBM) : 3000 V RTHETA (JA) : 11 °C/W |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 30 V N 沟道 Dual Cool™ PowerTrench® MOSFET | FDMS7650DC | 1 |
