FDMS7698:30V N沟道PowerTrench MOSFET®_BDTIC代理FDMS7698

FDMS7698:30V N沟道PowerTrench MOSFET®

FDMS7698 此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

技术特性

VGS = 10 V，ID = 13.5 A时，最大rDS(on) = 10 mΩ
VGS = 4.5 V，ID = 11.0 A时，最大rDS(on) = 15 mΩ
先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率
下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
MSL1耐用封装设计
100%经过UIL测试
符合RoHS标准

实物参考图

应用

服务器和大型机工作站台式计算机笔记本电脑 PC服务器多媒体平板电脑存储和外设打印机图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁宽带接入宽带调制解调器企业语音网络中央办公室广播和工作室其他有线通信手机 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器移动通信基础设施外部AC-DC商用电源-有线通信其他无线通信 PMP/MP3播放器家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视摄像机 DVD机机顶盒 DSC 视频游戏机电子书阅读器消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频其他消费型电子医疗电子/设备自动化测试和测量楼宇和住宅控制其他工业军用和民用航空

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDMS7698	量产从2010年9月起符合绿色标准	$0.232	MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDMS 第三行:7698	FIT : 1 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 400 V

应用指南

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
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AN-9763	Mid-Voltage Shielded PowerTrench® MOSFET in High Step-Up DC-DC for Edge-Lit LED TV Backlighting(292 K) 2012年7月20日

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概述	文档编号	版本
30V N沟道PowerTrench MOSFET®	FDMS7698	1

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