FDMS8018:30V N沟道PowerTrench® MOSFET

FDMS8018 此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 它已针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。

技术特性
  • VGS = -10 V,ID = -30 A时,最大值rDS(on) = 1.8 mΩ 
  • VGS = 4.5 V且ID = 26 A时,最大rDS(on) = 2.4 mΩ 
  • 先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)和高效率
  • 新一代的增强型体二极管技术,专为软恢复而设计
  • MSL1耐用封装设计
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
应用
  • Consumer
实物参考图

FDMS8018 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMS8018 量产
从2011年6月起符合绿色标准
$0.68 MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FDMS
第三行:8018
FIT :  5.6  
ESD (CDM) :  2000  V
ESD (HBM) :  1400  V
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
30V N沟道PowerTrench® MOSFET FDMS8018 1