FDMS8090:100V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench® 功率级
FDMS8090 该器件在双Power 56（5 毫米 X 6 毫米 MLP）封装中包括两个快速开关（QGD最小化）100V N 沟道 MOSFET。封装增强用于出色的热性能。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDMS8090 | 量产 从2012年3月起符合绿色标准 |
$1.233 | MLP 5x6 8L (Power 56) 细节
MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:FDMS 第三行:8090 |
FIT : 5.1 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 1000 V |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 100V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench® 功率级 | FDMS8090 | 1 |
