FDMS86252:150V N沟道PowerTrench® MOSFET_BDTIC代理FDMS86252

FDMS86252:150V N沟道PowerTrench® MOSFET

FDMS86252 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

技术特性

VGS = 10 V，ID = 4.6 A时，最大rDS(on) = 51 mΩ
VGS = 6 V，ID = 3.9 A时，最大rDS(on) = 70 mΩ
先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率
MSL1耐用封装设计
100%经过UIL测试
符合RoHS标准

实物参考图

应用

服务器和大型机工作站台式计算机笔记本电脑 PC服务器多媒体平板电脑存储和外设打印机图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁宽带接入宽带调制解调器企业语音网络中央办公室广播和工作室其他有线通信 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器移动通信基础设施外部AC-DC商用电源-有线通信其他无线通信 PMP/MP3播放器家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视摄像机 DVD机机顶盒 DSC 视频游戏机电子书阅读器消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频其他消费型电子医疗电子/设备自动化测试和测量楼宇和住宅控制其他工业军用和民用航空

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDMS86252	量产从2010年7月起符合绿色标准	$0.58	MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDMS 第三行:86252	FIT : 5.1 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 600 V

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
150V N沟道PowerTrench® MOSFET	FDMS86252	1

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