FDN371N:20V N沟道PowerTrench® MOSFET
FDN371N 该 20V N 沟道 MOSFET 采用飞兆高压 PowerTrench 工艺制成。 已针对电源管理应用进行了优化。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDN371N | 量产 从2011年12月起符合绿色标准 |
$0.218 |
SSOT 3L 示意图
胶带卷轴 |
第一行:E(空间) Y (二进制历年编码) 第二行:371 |
FIT : 0.8 RTHETA (JA) : 250 °C/W RƟJC : 75 °C/W |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
| AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 20V N沟道PowerTrench® MOSFET | FDN371N | 1 |
