FDN537N:30V单N沟道Power Trench® MOSFET
FDN537N 这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDN537N | 量产 从2011年7月起符合绿色标准 |
$0.174 |
SSOT 3L 示意图
胶带卷轴 |
第一行:E(空间) Y (二进制历年编码) 第二行:537 |
RTHETA (JA) : 80 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 Max Reflow Temp : 260 |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 30V单N沟道Power Trench® MOSFET | FDN537N | 1 |
