FDP039N08B:N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80V, 171A, 3.9mΩ
FDP039N08B 该N沟道MOSFET采用飞兆半导体®先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺专用于最大限度地降低通态电阻并保持出色的开关性能。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDP039N08B_F102 | 量产 从2012年1月起符合绿色标准 |
$2.23 | TO-220 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDP 第三行:039N08B |
FIT : 1 RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 0.7 °C/W |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80V, 171A, 3.9mΩ | FDP039N08B | 1 |
