FDPC4044:30 V 共漏极 N 沟道 PowerTrench® MOSFET
FDPC4044 此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 该器件具有两个共漏极 N 沟道 MOSFET，支持双向电流。 FDPC4044 结合了飞兆的先进工艺以及艺术级封装工艺，从而最大程度地减少了通态电阻。
技术特性
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDPC4044 | 量产 从2013年5月起符合绿色标准 |
$1.16 |
MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:40CF |
ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 900 V RTHETA (JA) : 47 °C/W |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 30 V 共漏极 N 沟道 PowerTrench® MOSFET | FDPC4044 | 1 |
